规格书 |
NTB,NTP6412AN |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 58A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 18.2 mOhm @ 58A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 100nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 167W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 100 V |
最大连续漏极电流 | 58 A |
RDS -于 | 18.2@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 16 ns |
典型上升时间 | 140 ns |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
典型下降时间 | 126 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 18.2@10V |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大功率耗散 | 167000 |
最大连续漏极电流 | 58 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 58A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 18.2 mOhm @ 58A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 167W |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 100nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Dual Drain, Single |
外形尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
身高 | 15.75mm |
长度 | 10.28mm |
最大漏源电阻 | 18.2 mΩ |
最高工作温度 | +175 °C |
最大功率耗散 | 167 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220 |
典型栅极电荷@ VGS | 13.5 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 2700 pF V @ 25 |
宽度 | 4.82mm |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 58 A |
RDS(ON) | 18.2 mOhms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 167 W |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Continuous Drain Current Id | :58A |
Drain Source Voltage Vds | :100V |
On Resistance Rds(on) | :16.8mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :167W |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | MM02104 80-4-5 3613 |
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